本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合
高盛分析师预测，2026年HBM恐供过于求。
随着英伟达以及Meta和谷歌等云计算巨头加大人工智能投入，推动HBM需求增长，分析师警告称，竞争加剧和供应过剩可能导致HBM价格在2026年首次下跌，这对市场领导者SK海力士构成挑战。
高盛警告称，竞争加剧以及定价权向主要客户转移（SK 海力士在这些客户中风险敞口很大）可能会挤压公司的利润率。
高盛认为，HBM 价格下跌的趋势可能归因于主要厂商的 HBM 芯片供应量大幅增加，预计供应量将超过需求量，从而可能推低全年平均销售价格 (ASP)。高盛表示，经过多年的供应紧张，HBM 市场预计将在 2026 年出现疲软，这可能导致整个行业的定价压力加剧。
与此同时，高盛也预测 HBM 的增长将大幅放缓——目前预计同比增长 25%，而此前为 45%。高盛已修订其 HBM 总目标市场 (TAM) 预测，将 2025 年的预测小幅上调 1% 至 360 亿美元，但将 2026 年的预测下调 13% 至 450 亿美元（此前为 510 亿美元）。
TrendForce 观察到，随着当前 HBM 产能不断提升，各供应商的良率稳步提升，成熟产品的价格下调的可能性不大。然而，明年的焦点将集中在仍在进行认证的 HBM4 上，因此现在判断竞争优胜者还为时过早。考虑到下一代 HBM 的发布，TrendForce 预计 HBM 的整体平均价格仍将呈上升趋势。
SK海力士面临的其他威胁
值得注意的是，高盛强调，NVIDIA 的下一代 GPU Rubin 不会像 B300 那样提升其 HBM 容量。两款 GPU 都将采用 288GB 容量——Rubin 采用 12Hi 的 HBM4，B300 采用 12Hi 的 HBM3E。这意味着 GPU 驱动的 HBM 需求增长有限，这对 NVIDIA 的主要 HBM 供应商 SK 海力士来说并非好消息。
另一方面，《经济日报》援引韩国分析师的话警告称，当下一代 HBM4 在 2025 年上市时，SK 海力士的市场份额可能会萎缩。此外，报道指出，虽然美国取消对 NVIDIA H20 芯片对中国的出口限制应该会提振 HBM 需求，从而对 SK 海力士有所帮助，但这也可能为其竞争对手带来提振。
报告援引分析师的警告称，到 2026 年，三星的 HBM 出货量可能以每年 20% 的速度增长，这一增长可能会直接给 SK 海力士的利润率带来压力。
三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从今年下半年延续至明年。
虽然这一规模在HBM年度市场占比不大，但对于亟需稳固HBM需求的三星电子具有战略意义。三星此前设定目标，计划将今年HBM总供应量扩大至上年两倍的80-90亿Gb水平。
该批HBM将搭载于全球科技企业的下一代AI芯片。目前博通凭借自有半导体设计能力，正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。
此外，三星电子也积极推进向亚马逊云服务（AWS）供应HBM3E 12层产品，近期已在平泽园区启动实地审核（Audit）。AWS计划明年量产搭载该存储器的下一代AI芯片"Trainium 3"。
全球科技企业掀起的ASIC自研热潮，为三星电子扭转HBM业务颓势提供了契机。
美光也在持续增加HBM产能。上个月，美光宣布将在美国的投资从此前宣布的 1250 亿美元扩大至 2000 亿美元，包括额外250 亿美元的内存制造投资和单独 500 亿美元的研发投资。美光此前已启动位于其总部爱达荷州博伊西的 1 座 DRAM 内存晶圆厂建设，并计划在纽约州克莱再建设4 座大型内存晶圆厂。
此次的新公告则计划在博伊西加建一座晶圆厂、建设HBM封装设施、对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化。马纳萨斯晶圆厂将制造已相对成熟的1-alpha (1a nm) DRAM，保障美国多个关键领域的内存供应。美国商务部已敲定对该项目的 2.75 亿美元《CHIPS》法案补贴，这意味着美光所获直接资金支持总额上升至 64 亿美元。
美光在博伊西新建的第一座晶圆厂计划于2027 年开始生产 DRAM，克莱建设项目有望在今年晚些时候启动地面准备。该企业认为博伊西第二新晶圆厂将在克莱第一晶圆厂前上线；而在博伊西两座新厂竣工后 HBM 封装项目也将启动。
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